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UPA808	文件：65.4 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Noise NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5184) 文件：65.4 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA808	文件：300 bytes Page：1 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD	Renesas 瑞萨	Renesas
UPA808T	文件：282.72 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Noise NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors 文件：282.72 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA808T	文件：65.4 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Noise NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5184) 文件：65.4 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA808TC	文件：32.84 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES • Built-in high-gain transistor fT = 9.0 GHz TYP., S21e2 = 7.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz • Built-in 2 transistors (2 × 2SC5436) • Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package 文件：32.84 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA808T-T1	文件：282.72 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Noise NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors 文件：282.72 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA808T-T1	文件：65.4 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Noise NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5184) 文件：65.4 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA808T	文件：224.21 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：224.21 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
UPA808T-T1-A	文件：224.21 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：224.21 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
UPA808T	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL	CEL

详细参数

型号：
UPA808
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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