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STW30NM50N	文件：351.86 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.115Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：351.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STW30NM50N	文件：628.06 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 500 V, 0.090 廓, 27 A MDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 文件：628.06 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STB30NM50N	文件：345.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.115Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STF30NM50N	文件：628.06 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 500 V, 0.090 廓, 27 A MDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 文件：628.06 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW30NM50N
功能描述：
MOSFET N-Ch 500 Volt 27 Amp Power MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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