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STW48N60M2-4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道600 V、0.06 Ohm典型值、42 A MDmesh M2功率MOSFET，TO247-4封装 This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters. • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin \n• Extremely low gate charge \n• Excellent output capacitance (Coss) profile \n• 100% avalanche tested \n• Zener-protected;	ST 意法半导体	ST
STW48N60M2-4	文件：719.24 Kbytes Page：12 Pages	Extremely low gate charge 文件：719.24 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STW48NM60NMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 TO-247	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法

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更多STW48N60M2-4供应商更新时间2025-10-4 14:14:00