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| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STW36NM60ND | Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswith intrinsicfast-recoverybodydiodeareproduced usingthesecondgenerationofMDmesh™ technology.Utilizinganewstrip-layoutvertical structure,theserevolutionarydevicesfeature extremelylowon-resistanceandsuperior switchingperforma | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | |
Automotive-gradeN-channel600V,0.093Ω,29A,MDmesh™IIPowerMOSFETinaD²PAKpackage Features •Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified •100avalanchetested •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthesecondgene | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
Automotive-gradeN-channel600V,0.093Ω,29A,MDmesh™IIPowerMOSFETinaD²PAKpackage Features •Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified •100avalanchetested •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthesecondgene | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
Automotive-gradeN-channel600V,0.097typ.,29AFDmeshII Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswith intrinsicfast-recoverybodydiodeareproduced usingthesecondgenerationofMDmesh™ technology.Utilizinganewstrip-layoutvertical structure,theserevolutionarydevicesfeature extremelylowon-resistanceandsuperior switchingperforma | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
Automotive-gradeN-channel600V,0.097typ.,29AFDmeshII Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswith intrinsicfast-recoverybodydiodeareproduced usingthesecondgenerationofMDmesh™ technology.Utilizinganewstrip-layoutvertical structure,theserevolutionarydevicesfeature extremelylowon-resistanceandsuperior switchingperforma | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS | ||
N-channel600V,0.092Ω,29A,MDmesh™IIPowerMOSFETinTO-247 Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications –Automotive Description Thisdeviceismadeusingthesecondgeneration ofMDmesh™technology.Thisrevolutionary PowerMOSFETassociatesanewve | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
STW36NM60ND
- 制造商：
STMicroelectronics
- 功能描述：
POWER MOSFET - Rail/Tube
- 功能描述：
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
- 功能描述：
STW36NM60ND Series N-Channel 600 V 110 mOhm FDmesh II Power Mosfet - TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
21+ |
NA |
55140 |
只做原装,假一罚十 |
询价 | ||
STM |
21+ |
TO-247-3 |
55130 |
原装正品 有挂有货 |
询价 | ||
STM |
20+ |
54830 |
TO-247-3 |
询价 | |||
STM |
23+ |
TO-247-3 |
55130 |
原装现货支持送检 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
23+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
TO-247 |
600 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2112+ |
TO-247-3 |
115000 |
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
STM |
1809+ |
TO-247 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
ST/意法 |
标准封装 |
58998 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
询价 |
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