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STW47NM60ND	文件：1.043589 Mbytes Page：12 Pages	N-channel 600 V, 0.075 廓 typ., 35 A FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETrealizedusingthesecondgenerationofMDmesh™technologyknownasFDmesh™II.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfast	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STW47NM60ND	文件：348.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW47NM60	文件：117.19 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL600V-0.075ohm-47ATO-247MDmesh?줡owerMOSFET DESCRIPTION ThisimprovedversionofMDmesh™whichisbasedonMultipleDrainprocessrepresentsthenewbenchmarkinhighvoltageMOSFETs.Theresultingproductexhibitsevenloweron-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacter istics.TheadoptionoftheCompany’s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STW47NM60ND

文件：1.043589 Mbytes

Page：12 Pages

N-channel 600 V, 0.075 廓 typ., 35 A FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETrealizedusingthesecondgenerationofMDmesh™technologyknownasFDmesh™II.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfast

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

STW47NM60

文件：117.19 Kbytes

Page：6 Pages

N-CHANNEL600V-0.075ohm-47ATO-247MDmesh?줡owerMOSFET

DESCRIPTION ThisimprovedversionofMDmesh™whichisbasedonMultipleDrainprocessrepresentsthenewbenchmarkinhighvoltageMOSFETs.Theresultingproductexhibitsevenloweron-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacter istics.TheadoptionoftheCompany’s

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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详细参数

型号：
STW47NM60ND
功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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