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STW62N65M5	文件：885.27 Kbytes Page：14 Pages	Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 package Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETbasedonMDmesh™M5innovativeverticalprocesstechnologycombinedwiththewell-knownPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproductoffersextremelylowonresistance,makingitparticularlysuitableforapplicationsrequiringhighpower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW62N65M5	文件：351.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.049Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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STW62N65M5

文件：885.27 Kbytes

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Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 package

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETbasedonMDmesh™M5innovativeverticalprocesstechnologycombinedwiththewell-knownPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproductoffersextremelylowonresistance,makingitparticularlysuitableforapplicationsrequiringhighpower

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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STW62N65M5

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.049Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
STW62N65M5
制造商：
STMicroelectronics
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
MOSFET N-CH 650V TO-247

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