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STW69N65M5	文件：672.41 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 650 V, 0.037 廓 typ., 58 A MDmesh??V Power MOSFET in TO-3PF and TO-247 packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW69N65M5	文件：420.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW69N65M5-4	文件：792.48 Kbytes Page：13 Pages	Easy to drive	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFW69N65M5	文件：308.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor •FEATURES •DrainCurrentID=58A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STFW69N65M5	文件：672.41 Kbytes Page：16 Pages	N-channel650V,0.037廓typ.,58AMDmesh??VPowerMOSFETinTO-3PFandTO-247packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW69N65M5
功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh V MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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