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STW57N65M5-4

N-channel 650 V, 0.056 廓 typ., 42 A, MDmesh??V Power MOSFET in a TO247-4 package

Description This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on resistance, which is unmatched am

文件:1.22203 Mbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW57N65M5-4

N沟道650 V、0.056 Ohm典型值、42 A MDmesh M5功率MOSFET,TO247-4封装

该器件是一款N-沟道MDmesh™ V功率MOSFET,其基于创新的专有垂直工艺技术,并结合了意法半导体公司知名的PowerMESH™水平布局结构。因此这款产品具有极低的导通电阻,在硅基功率MOSFET中首屈一指,非常适合需要超高功率密度和卓越效率的应用。 • 更高的VDS额定值 \n• 更高的dv/dt性能 \n• 通过额外的驱动源引脚实现出色的开关性能 \n• 易于驱动 \n• 经过100%雪崩测试;

ST

意法半导体

STW72N60DM2AG

ST
TO-247

ST

STW81102ATR

ST
公司现货

ST

STW82103BTR

ST
公司现货

ST

技术参数

  • Package:

    TO247-4

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.063

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    42

  • PTOT_max(W):

    250

  • Qg_typ(nC):

    98

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STW57N65M5-4供应商 更新时间2025-10-4 14:14:00