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STW60N65M5

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.059Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

STW60N65M5

N-channel 650 V, 0.049 ohm, 46 A MDmesh V Power MOSFET

文件:975.98 Kbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STFW60N65M5

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.059Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

STFW60N65M5

N-channel 650 V, 0.049 ohm, 46 A MDmesh V Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STW60N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650V 0.049 Ohm 46A Mdmesh V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST(意法半导体)
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更多STW60N65M5供应商 更新时间2025-10-9 16:12:00