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STW55NM60ND	文件：147.76 Kbytes Page：9 Pages	N-channel 600 V - 0.047 廓 - 51 A TO-247 FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) Description ThisFDmesh™IIPowerMOSFETwithintrinsicfast-recoverybodydiodeisproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,thisrevolutionarydevicefeaturesextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.Itis	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW55NM60ND	文件：350.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=51A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.06Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW55NM60N	文件：350.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=51A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.06Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW55NM60N	文件：329.76 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.047??51A,MDmesh??IIPowerMOSFETTO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW55NM60ND
功能描述：
MOSFET N-channel 600 V FDMesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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