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STW55NM60ND中文资料PDF规格书
STW55NM60ND规格书详情
Description
This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low on-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Features
■ The worldwide best RDS(on) amongst the fast
recovery diode devices in TO-247
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ High dv/dt and avalanche capabilities
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STW55NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600 V FDMesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2020+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ST |
2019 |
TO-247 |
19700 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
询价 | ||
原装 |
24+ |
标准 |
49486 |
热卖原装进口 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
STM |
21+ |
N/A |
600 |
深圳通 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
22+ |
NA |
266 |
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询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST |
2022 |
TO-247 |
27 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-247 |
30000 |
原装正品 |
询价 |
