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STGP7NB60H	文件：86.56 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESHIGBTs,withoutstandingperfomances.Thesuffix”H”identifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequen	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP7NB60HD	文件：103.9 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESHIGBTs,withoutstandingperfomances.ThesuffixHidentifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP7NB60HDFP	文件：103.9 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESHIGBTs,withoutstandingperfomances.ThesuffixHidentifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP7NB60HD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 80W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW38IH130D其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 TO-247	ST/意法相关企业：深圳庞田科技有限公司	ST/意法

详细参数

型号：
STGP7NB60H
功能描述：
IGBT 晶体管 RO 511-STGP7NB60K
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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