丝印：GAP2HDM；Package：SO-36W；Galvanically isolated 4 A dual gate driver

Features • High voltage rail up to 1200 V • Driver current capability: 4 A sink/source @ 25 °C • dV/dt transient immunity ±100 V/ns • Overall input-output propagation delay: 75 ns • Separate sink and source option for easy gate driving configuration • 4 A Miller CLAMP • UVLO function • Con

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

SOIC-8

ST

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TO-263

st

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TO-263

st

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D2PAK

ST

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