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RJH60D2DPP-E0	文件：120.05 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 80 ns 文件：120.05 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0	文件：171.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT cation: Inverter Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features Short circuit withstand time (5µs typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ. (at IC= 12 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa 文件：171.49 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0-T2	文件：171.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT cation: Inverter Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features Short circuit withstand time (5µs typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ. (at IC= 12 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa 文件：171.49 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D3DPE	文件：170.13 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：170.13 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D3DPE-00-J3	文件：170.13 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：170.13 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7BDPQ-E0	文件：333.49 Kbytes Page：10 Pages	600V - 50A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 50 ns 文件：333.49 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPK	文件：166.8 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 文件：166.8 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPK-00-T0	文件：166.8 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 文件：166.8 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPQ-A0	文件：112.47 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 文件：112.47 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPQ-A0-T0	文件：112.47 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 文件：112.47 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
RJH6674
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
功率开关（PSW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
175W
放大倍数：
图片代号：
B-70
vtest：
0
htest：
999900
atest：
15
wtest：
175

技术参数

静电容量：
100 uF ± 20 %
额定电压：
100 V
tanδ (max)：
0.07
使用温度范围：
-55 to +105 ℃
Leakage current (min)：
102 uA at 2 min
Rated Ripple (max)：
739 mArms at 100k Hz / 105 ℃
Impedance ratio___[-25℃/+20℃]：
2
Impedance ratio___[-55℃/+20℃]：
3
Impedance (max)：
0.15 Ω at 100k Hz / 20 ℃
Endurance___[Test time]：
3000 hr at 105 ℃
Endurance___[Capacitance change]：
Within ±20% of initial value
Endurance___[tanδchange]：
200% or less of initial specified value
尺寸 (φD)：
φ10 +0.5/-0 mm
尺寸 (L)：
Max 30 +2 mm
尺寸 (P (F))：
5 ±0.5 mm
尺寸 (C (d))：
φ0.6 ±0.05 mm
形状：
Miniature
类别：
Low Impedance
RoHS Compliance (10 subst.)：
Yes
REACH Compliance (209 subst.)：
Yes
适用焊接方法：
Flow
包装：
1000

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更多RJH供应商更新时间2026-2-4 16:51:00

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