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RJH60F7BDPQ-A0	文件：102.1 Kbytes Page：9 Pages	600V - 50A - IGBT High Speed Power Switching Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg 文件：102.1 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F7DPQ-A0	文件：112.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, 文件：112.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F7DPQ-A0-T0	文件：112.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, 文件：112.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60T04DPQ-A1	文件：207.39 Kbytes Page：8 Pages	600V - 30A - IGBT Application:Current resonance circuit Features • Optimized for current resonance application • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 45 ns typ. (at V 文件：207.39 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60V1BDPP-M0	文件：112.04 Kbytes Page：10 Pages	600V - 8A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 8 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 110 ns 文件：112.04 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60V2BDPE	文件：98.04 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns 文件：98.04 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60V2BDPP-M0	文件：102.53 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns 文件：102.53 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60V3BDPE	文件：98.81 Kbytes Page：10 Pages	600V - 17A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns 文件：98.81 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60V3BDPP-M0	文件：103.15 Kbytes Page：10 Pages	600V - 17A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns 文件：103.15 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH65S04DPQ-A0	文件：71.24 Kbytes Page：4 Pages	650V - 50A - IGBT Application: Inverter Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 50 A, Rg = 10 Tj 文件：71.24 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
RJH6674
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
功率开关（PSW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
175W
放大倍数：
图片代号：
B-70
vtest：
0
htest：
999900
atest：
15
wtest：
175

技术参数

静电容量：
100 uF ± 20 %
额定电压：
100 V
tanδ (max)：
0.07
使用温度范围：
-55 to +105 ℃
Leakage current (min)：
102 uA at 2 min
Rated Ripple (max)：
739 mArms at 100k Hz / 105 ℃
Impedance ratio___[-25℃/+20℃]：
2
Impedance ratio___[-55℃/+20℃]：
3
Impedance (max)：
0.15 Ω at 100k Hz / 20 ℃
Endurance___[Test time]：
3000 hr at 105 ℃
Endurance___[Capacitance change]：
Within ±20% of initial value
Endurance___[tanδchange]：
200% or less of initial specified value
尺寸 (φD)：
φ10 +0.5/-0 mm
尺寸 (L)：
Max 30 +2 mm
尺寸 (P (F))：
5 ±0.5 mm
尺寸 (C (d))：
φ0.6 ±0.05 mm
形状：
Miniature
类别：
Low Impedance
RoHS Compliance (10 subst.)：
Yes
REACH Compliance (209 subst.)：
Yes
适用焊接方法：
Flow
包装：
1000

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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