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RJH60V2BDPP-M0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60V2BDPP-M0 |
| 参数属性 | RJH60V2BDPP-M0 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 25A 34W TO-220FL |
| 功能描述 | 600V - 12A - IGBT Application: Inverter |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
102.53 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-16 20:00:00 |
| 人工找货 | RJH60V2BDPP-M0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60V2BDPP-M0规格书详情
Features
Short circuit withstand time (6 s typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
tf = 75 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 12 A, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60V2BDPP-M0#T2
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，12A
- 开关能量：
30µJ（开），180µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
33ns/65ns
- 测试条件：
300V，12A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220FL
- 描述：
IGBT 600V 25A 34W TO-220FL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-TO-220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ELNA |
24+ |
dip |
43680 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO220F |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-220FL |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220FL |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220FL |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
