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RJH65S04DPQ-A0	文件：71.24 Kbytes Page：4 Pages	650V - 50A - IGBT Application: Inverter Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 50 A, Rg = 10 Tj 文件：71.24 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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