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RJH65S04DPQ-A0	文件：71.24 Kbytes Page：4 Pages	650V - 50A - IGBT Application: Inverter Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=80nstyp.(atCC=300V,VGE=15V,IC=50A,Rg=10Tj	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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650V - 50A - IGBT Application: Inverter

Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=80nstyp.(atCC=300V,VGE=15V,IC=50A,Rg=10Tj

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