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RJH60F0DPQ-A0-T0	文件：112.47 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 文件：112.47 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F5BDPQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS TO-247	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
RJH60F7DPQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS TO247	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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RJK0301DPB-02/J0	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS/瑞 SOT-669	RENESAS/瑞上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	RENESAS/瑞

详细参数

型号：
RJH60F0DPQ-A0-T0
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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