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RJH60D3DPE分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60D3DPE |
| 参数属性 | RJH60D3DPE 封装/外壳为SC-83；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 35A LDPAK |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT Application: Inverter |
| 封装外壳 | SC-83 |
| 文件大小 |
170.13 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 11:00:00 |
| 人工找货 | RJH60D3DPE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60D3DPE规格书详情
特性 Features
• Short circuit withstand time (5 μs typ.)
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tf = 70 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 17 A, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60D3DPE-00#J3
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，17A
- 开关能量：
200µJ（开），210µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
35ns/80ns
- 测试条件：
300V，17A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-83
- 供应商器件封装：
LDPAK
- 描述：
IGBT 600V 35A LDPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
25+23+ |
TO-220F |
34854 |
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询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
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RENESAS/瑞萨 |
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NA |
860000 |
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Renesas |
22+ |
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9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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RENESAS |
17+ |
TO220 |
60000 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220F |
25000 |
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Renesas |
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