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RJH60F0DPK	文件：166.8 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitchingtf=90nstyp.(atIC=30A,VCC=400V,VGE=15V,Rg=5Ω,Ta=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F0DPK	文件：92.31 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F0DPK-00-T0	文件：166.8 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitchingtf=90nstyp.(atIC=30A,VCC=400V,VGE=15V,Rg=5Ω,Ta=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F0DPK_10	文件：92.31 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F0DPK_15	文件：95.17 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F0DPK-00-T0	文件：92.31 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F0DPK-00#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60F0DPE	文件：87.89 Kbytes Page：7 Pages	600V-25A-IGBTHighSpeedPowerSwitching 600V-25A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=90nstyp.(atIC=30A,VCE	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60F0DPM	文件：86.06 Kbytes Page：7 Pages	600V-25A-IGBTHighSpeedPowerSwitching 600V-25A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60F0DPM	文件：86.06 Kbytes Page：7 Pages	600V-25A-IGBTHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
RJH60F0DPK
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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