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RJH60F0DPK	文件：166.8 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 文件：166.8 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPK	文件：92.31 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：92.31 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPK-00-T0	文件：166.8 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 文件：166.8 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPK_10	文件：92.31 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：92.31 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPK_15	文件：95.17 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：95.17 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPK-00-T0	文件：92.31 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：92.31 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60F0DPK-00#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-3P
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
IH：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
100
IC (A) @25 °C：
50
IC (A) @100 °C：
25
VCE (sat)(V)：
1.4
tf (µs) 典型值：
0.09
FRD Vf (V)：
1.6
FRD trr (ns)：
140
Pch (W)：
201.6
应用：
IH Cooker/PFC
安装类型：
Through Hole

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