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RJH60D7BDPQ-E0

600V - 50A - IGBT Application: Inverter

Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 50 ns

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RJH60D7BDPQ-E0

IGBTs

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RJH60D7BDPQ-E0_15

600V - 50A - IGBT Application: Inverter

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RJH60D7BDPQ-E0_16

600V - 50A - IGBT

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RJH60D7BDPQ-E0#T2

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 90A 300W TO-247

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • 封装类型:

    TO-247

  • 通道数:

    Single

  • 配置[器件]:

    Built-In FRD

  • 逆变器:

    YES

  • PFC:

    YES

  • VCES (V):

    600

  • Ic (峰值) (A):

    200

  • IC (A) @25 °C:

    90

  • IC (A) @100 °C:

    50

  • VCE (sat)(V):

    1.6

  • tf (µs) 典型值:

    0.05

  • tsc (µs):

    3

  • FRD Vf (V):

    2.5

  • FRD trr (ns):

    25

  • Pch (W):

    300

  • 应用:

    Inverter

  • 安装类型:

    Through Hole

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RJH60D7BDPQ-E0供应商 更新时间2025-11-22 15:18:00