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NDB7060L	文件：64.959 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB7060L	文件：344.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP7060	文件：360.46 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP7060	文件：295.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP7060L	文件：295.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP7060L	文件：64.959 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NTE7060	文件：26.41 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitNTSCSingleChipColorTVSignalProcessor Description: TheNTE7060isanintegratedcircuitina52–LeadDIPtypepackagethatcombinesallofthesignal(VIF,SIF,Video,ColorandSynchronousSignal)processingcircuitsinNTSCcolorTVontoonechip. Features: •VIFCircuitusingPLLCompleteSynchronousDetection •Audio	NTE NTE Electronics	NTE
PCMF7060S	文件：1.25315 Mbytes Page：2 Pages	SMDHighCurrentCommonModeFilter	ALLIED Allied Components International	ALLIED
S-7060EA	文件：1.28102 Mbytes Page：8 Pages	ROTARYCODEDSWITCHES(SMD)	COPALCopal Electronics 尼得科科智博电子尼得科科智博电子(上海)有限公司	COPAL
S-7060EB	文件：1.28102 Mbytes Page：8 Pages	ROTARYCODEDSWITCHES(SMD)	COPALCopal Electronics 尼得科科智博电子尼得科科智博电子(上海)有限公司	COPAL

详细参数

型号：
NDB7060L
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	NDB7060L	NSC	05+	原厂原装	851	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	NDB7060L		24+		3000	公司存货	询价
深圳市弘为电子有限公司	NDB7060L	FAIRCHILD	24+	原封装	1600	原装现货假一罚十	询价
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京海半导体(深圳)有限公司	NDB7060L	FAIRCHILD/仙童	21+	TO-263	10000	原装现货假一罚十	询价

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