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NDD04N50Z-1G供应商库存 共有62条更新时间:2023-2-2 17:08:00

NDD04N50Z-1G中文资料资料下载文件大小:128 Kbytes页面数量:9 页描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
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NDD04N50Z-1G功能描述:MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube