这里有NDD04N50Z-1G是什么芯片，NDD04N50Z-1G中文资料规格书PDF技术资料引脚参数图及功能。
NDD04N50Z-1G功能描述:MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
