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NDD04N50Z-1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:NDD04N50Z-1G 
- 功能描述:MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK 
- RoHS:否 
- 制造商:STMicroelectronics 
- 晶体管极性:N-Channel 
- 汲极/源极击穿电压:650 V 
- 闸/源击穿电压:25 V 
- 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 
- RDS(导通):0.014 Ohms 
- 配置:Single 
- 安装风格:Through Hole 
- 封装/箱体:Max247 
- 封装:Tube 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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