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NDD04N50Z-1G	文件：127.75 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDD04N50Z-1G	文件：1.07547 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
NDD04N50Z-1	文件：317.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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NDD04N50Z-1G

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N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD04N50Z-1G

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N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

NDD04N50Z-1

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
NDD04N50Z-1G
功能描述：
MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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