首页 >NDB708A>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

NDB708A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:345.25 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NDB708A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:74.91 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

NDB708AE

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:345.29 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NDB708AE

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:74.91 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

NDB708A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NDB708A

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAI
25+23+
TO263
74232
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
询价
6000
面议
19
DIP/SMD
询价
VB
21+
TO-263AB
10000
原装现货假一罚十
询价
F
22+
TO-263AB
6000
十年配单,只做原装
询价
F
23+
TO-263AB
6000
原装正品,支持实单
询价
国半
23+24
TO-263
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
询价
-
23+
NA
25600
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
FSC
16+
TO-263
200
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
200
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
FSC
23+
TO-263
200
全新原装正品现货,支持订货
询价
更多NDB708A供应商 更新时间2025-10-3 16:50:00