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NDD03N60Z-1G

N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 

文件:167.82 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD03N60Z-1G

N-Channel Power MOSFET

文件:147.81 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD03N60Z-1G

N-Channel Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

NDD03N60Z-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:324.15 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    NDD03N60Z-1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NDD03N60Z-1G供应商 更新时间2025-12-6 14:48:00