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NDD03N60Z-1G	文件：167.82 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDD03N60Z-1G	文件：147.81 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDD03N60Z-1	文件：324.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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NDD03N60Z-1G

文件：167.82 Kbytes

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N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD03N60Z-1G

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N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD03N60Z-1

文件：324.15 Kbytes

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
NDD03N60Z-1G
功能描述：
MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NDD03N60Z-1G供应商更新时间2024-4-25 17:17:00

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