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AFA1000RE	文件：43.03 Kbytes Page：1 Pages	EpoxyMoldedPrecisionWirewoundAxialTerminals	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
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AFG1000	文件：288.33 Kbytes Page：12 Pages	Arbitrary/FunctionGenerator	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司	TEKTRONIX
AFQ1000RE	文件：43.03 Kbytes Page：1 Pages	EpoxyMoldedPrecisionWirewoundAxialTerminals	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
AFT1000RE	文件：43.03 Kbytes Page：1 Pages	EpoxyMoldedPrecisionWirewoundAxialTerminals	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
MRS-1000A	文件：2.36396 Mbytes Page：4 Pages	CreateYourOwnReworkSystem	OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 冲电线冲电线株式会社	OKI
MRS-1000B	文件：2.36396 Mbytes Page：4 Pages	CreateYourOwnReworkSystem	OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 冲电线冲电线株式会社	OKI
MS1000	文件：98.41 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSHFSSBAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1000isa28VClassAsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforSSBcommunications.DiffusedemitterballastprovideinfiniteVSWRcapabilityunderratedoperatingconditions. Features ·30MHz ·28VOLTS ·IMD=-30dB ·GOLDMETALLIZATION	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MSA-1000	文件：73.58 Kbytes Page：4 Pages	CascadableSiliconBipolarMMICAmplifier Description TheMSA-1000isahighperformance,mediumpowersiliconbipolarMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)chip.ThisMMICisdesignedforuseinapush-pullconfigurationina25Ωsystem.TheMSA-1000canalsobeusedassingle-endedamplifierina50␣Ωsystemwithslightlyre	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
MSB-1000	文件：330.44 Kbytes Page：1 Pages	VRLARechargeableBattery	BB-BATTERYB. B. Battery Co., Ltd. 美美电池长沙镁镁科技有限公司	BB-BATTERY
MSC1000M	文件：100.56 Kbytes Page：5 Pages	AVIONICSAPPLICATIONSRF&MICROWAVETRANSISTORS DESCRIPTION TheMSC1000MisaClassA,commonemittertransistorwithanemitterballastedMatrixgeometryspecificallydesignedforDME/IFFdriverapplications. Thisdeviceiscapableofwithstandinga∞:1loadVSWRatanyphaseangleunderfullratedconditions.LowRFthermalresistanceands	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MSC1000MP	文件：98.86 Kbytes Page：5 Pages	AVIONICSAPPLICATIONSRF&MICROWAVETRANSISTORS DESCRIPTION TheMSC1000MPisaClassA,commonemittertransistorwithanemitterballastedMatrixgeometryspecificallydesignedforDME/IFFdriverapplications. Thisdeviceiscapableofwithstandinga∞:1loadVSWRatanyphaseangleunderfullratedconditions.LowRFthermalresistanceand	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MSDW1000	文件：422.05 Kbytes Page：4 Pages	Qualifiedforlead-freereflowsolderprocessaccordingIPC/JEDECJ-STD-020D	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MSDW1000	文件：223.74 Kbytes Page：8 Pages	2W,WideInputRangeSMD,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技MINMAX捷拓科技有限公司	MINMAX
MSIW1000	文件：231.05 Kbytes Page：8 Pages	3W,WideInputRangeSMD,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技MINMAX捷拓科技有限公司	MINMAX
MSIW1000	文件：420.53 Kbytes Page：4 Pages	SMDPackagewithIndustryStandardPinout	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MSJ1000	文件：593.3 Kbytes Page：2 Pages	alongservicelifebatteryupto20yearsexpectedlifeundernormalfloatcharge	CSB-BATTERYCSB Battery Co., Ltd. 希世比能源希世比能源科技股份有限公司	CSB-BATTERY

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产品属性

产品编号：
MRF1000MB
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
增益：
10.7dB ~ 12dB
功率 - 最大值：
0.7W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 100mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
332A-02
供应商器件封装：
332A-03，2 型
描述：
RF TRANS NPN 20V 332A-03

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更多MRF1000MB供应商更新时间2024-6-3 16:40:00

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