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MRF10120	文件：98.04 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER TRANSISTOR TheRFLine MicrowaveLongPulsePowerTransistor Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. •GuaranteedPerformance@1.215GHz,36Vdc OutputPower=120WattsPeak Gain=8.0dBMin.,9.2dB(Typ) •100Testedfor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF10120	文件：128.12 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON TheRFLine MicrowaveLongPulsePowerTransistor Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. •GuaranteedPerformance@1.215GHz,36Vdc OutputPower=120WattsPeak Gain=7.6dBMin.,8.5dB(Typ) •100Testedfo	MACOM Tyco Electronics
MRF10120	文件：171.98 Kbytes Page：5 Pages	Microwave Long Pulse Power Silicon NPN Transistor 120W (peak), 960-1215MHz MicrowaveLongPulsePowerSiliconNPNTransistor120W(peak),960–1215MHz Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. •Guaranteedperformance@1.215GHz,36Vdc Outputpower=120WPeak Gain=7.6dBmin.,8.5dB(ty	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
MRF10120	文件：171.98 Kbytes Page：5 Pages	Microwave Long Pulse Power Silicon NPN Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
MRF10120	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：355C-02 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 55V 355C-02	MACOM Tyco Electronics
MRF10120_15	文件：171.98 Kbytes Page：5 Pages	Microwave Long Pulse Power Silicon NPN Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
10120	文件：116.57 Kbytes Page：1 Pages	Heyco짰NylonPCBSupports-ImperialSpacing	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
10120	文件：281.61 Kbytes Page：3 Pages	InductiveSensor Features ■Rectangular,height40mm ■Variableorientationofactivefacein9 directions ■Plastic,PBT-GF30-VO ■High-luminancecornerLEDs ■Optimumviewofoperatingvoltageand switchingstatefromanyposition ■Thread,1/2-14NPT ■DC2-wire,nom.8.2VDC ■Outputacc.toDINEN60947-5-	TURCKTURCK 上海乐利上海乐利自动化科技有限公司
10120	文件：113.77 Kbytes Page：1 Pages	NylonPCBSupports-ImperialSpacing	Heyco Heyco
AE10120	文件：303.07 Kbytes Page：1 Pages	WATERPROOFD-SUBBACKSHELLW/DB	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司
C10120	文件：152.38 Kbytes Page：2 Pages	ADSLTransformerSMDType:CEP>Series> ◆ProductDescription •17.7×13.5mmMax.(L×W),12.3mmMax.Height. ◆Feature •xDSLlinetransformer. •IdeallyusedinADSLcustomerpremisesequipment,SHDSL&HDSL,splitterandVDSL. •ApprovedbyTI,SiliconLabs,BroadcomandConexant. •RoHSCompliance.	SUMIDA Sumida America Components Inc.
CMF10120D	文件：948.54 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFET Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
CS10120B	文件：340.44 Kbytes Page：4 Pages	CURRENTSENSOR	CUI CUI Inc.
CSD10120	文件：131.79 Kbytes Page：4 Pages	ZERORECOVERYRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
CSD10120D	文件：131.79 Kbytes Page：4 Pages	ZERORECOVERYRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
CWSC10120NK	文件：157.08 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
CWST10120NK	文件：53.87 Kbytes Page：1 Pages	Goulotteguide-filsacouvercleacharnierepourposeaplat,type1-sansalveolesdefoncables	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.
EPJ10120	文件：176.97 Kbytes Page：3 Pages	EARPHONE/DCPOWERPLUGSEPJ1,4SERIES	ECE 百容
FFSB10120A	文件：185.73 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FFSD10120A	文件：942.82 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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产品属性

产品编号：
MRF10120
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
增益：
8.5dB
功率 - 最大值：
120W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
15A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
355C-02
供应商器件封装：
355C-02，1 型
描述：
RF TRANS NPN 55V 355C-02

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