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MMDT5551	文件：1.40655 Mbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMDT5551DW	文件：396.73 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMDT5551-TP	文件：114.43 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof200mWattsofPowerDissipation •Idealf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST5551	文件：157.73 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMST5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST5551	文件：103.42 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MMST5551	文件：41.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST5401 •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Quali	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST5551	文件：79.67 Kbytes Page：2 Pages	NPNSmallSignalTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Powerdissipation:200mW(Tamb=25°C) •Collectorcurrent:0.2A •Marking:K4N •OperatingandStoragejunctiontemperaturerange -55°Cto+150°C •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSComplia	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST5551	文件：612.08 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMST5551	文件：125.03 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMST5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST5551	文件：367.26 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMST5401 ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

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产品属性

产品编号：
MMBT5551-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT5551-TP	Micro Commercial Co	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	MMBT5551-TP	MCCSEMI	24+	Tube	768000	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	MMBT5551-TP	MCC	24+	SOT-23	90	原装现货17377264928微信同号	询价
深圳市一线半导体有限公司	MMBT5551-TP	MCC	24+	SOT-23	7500		询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	MMBT5551-TP	MCC	1735+	SOT23	6528	科恒伟业!只做原装正品!假一赔十!	询价
上海金庆电子技术有限公司	MMBT5551-TP	MicroCommercialComponent	新		5	全新原装货期两周	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	MMBT5551-TP	MCC	24+	SOT23	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
上海市鑫鸿达电子	MMBT5551-TP	Micro Commercial Components	2022+		1	全新原装货期两周	询价

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