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MMST5551	文件：41.51 Kbytes Page：2 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST5401 •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST5551	文件：103.42 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MMST5551	文件：157.73 Kbytes Page：3 Pages	Marking：K4N；Package：SOT-323；NPN General Purpose Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMST5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST5551	文件：79.67 Kbytes Page：2 Pages	NPN Small Signal Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Powerdissipation:200mW(Tamb=25°C) •Collectorcurrent:0.2A •Marking:K4N •OperatingandStoragejunctiontemperaturerange -55°Cto+150°C •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSComplia	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST5551	文件：125.03 Kbytes Page：3 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMST5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST5551	文件：367.26 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMST5401 ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMST5551	文件：188.12 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryPNPtypeavailable(MMST5401). •Alsoavailableinleadfreeversion.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMST5551	文件：368.42 Kbytes Page：1 Pages	Marking：K4N；Package：SOT-323；NPN Transistors ■Features ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementarytoMMST5401	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMST5551	文件：1.82698 Mbytes Page：4 Pages	Marking：K4N；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementarytoMMST5401 SmallSurfaceMountPackage IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMST5551	文件：1.53406 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMST5401 ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
MMST5551
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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