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K4N	文件：368.42 Kbytes Page：1 Pages	型号：KMST5551；Package：SOT-323；NPN Transistors ■Features ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementarytoMMST5401	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
K4N	文件：321.53 Kbytes Page：3 Pages	型号：MMBT5551W；Package：SOT-323；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURE IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching AlsoAvailableinLeadFreeVersion ComplementarytoMMBT5401W	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
K4N	文件：1.40655 Mbytes Page：4 Pages	型号：MMDT5551；Package：SOT-363；SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
K4N	文件：772.06 Kbytes Page：3 Pages	型号：MMDT5551；Package：SOT-363；Epitaxial Planar Die Construction Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
K4N	文件：1.44705 Mbytes Page：5 Pages	型号：MMDT5551；Package：SOT-363；NPNNPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating •ComplementarytoMMDT5401 •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
K4N	文件：396.73 Kbytes Page：3 Pages	型号：MMDT5551DW；Package：SOT-363；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
K4N	文件：1.82698 Mbytes Page：4 Pages	型号：MMST5551；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementarytoMMST5401 SmallSurfaceMountPackage IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
K4N	文件：157.73 Kbytes Page：3 Pages	型号：MMST5551；Package：SOT-323；NPN General Purpose Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMST5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
K4N	文件：368.42 Kbytes Page：1 Pages	型号：MMST5551；Package：SOT-323；NPN Transistors ■Features ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementarytoMMST5401	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
K4N	文件：600.63 Kbytes Page：10 Pages	型号：XPJ1R004PB；Package：S-TOGL；MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications •Automotive •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers •DC-DCConverters Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.8mΩ(typ.)(VGS=10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=40V) (4)Enhancementmode:Vth=2.0to	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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