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MMBT5551W	文件：177 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistor FEATURE •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •AlsoAvailableinLeadFreeVersion •ComplementarytoMMBT5401W	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT5551W	文件：993.89 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-323 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Highvoltage,complementarypairwithMMBT5401W. Applications Generalpurposehighvoltageamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5551W	文件：321.53 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURE IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching AlsoAvailableinLeadFreeVersion ComplementarytoMMBT5401W	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
MMBT5551W	文件：411.66 Kbytes Page：2 Pages	MMBT5551W TRANSISTOR (NPN)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT5551WT1	文件：335.9 Kbytes Page：5 Pages	DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR FEATURE ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT5551W_15	文件：177 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT5551	文件：1.56192 Mbytes Page：4 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(TPMMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT5551	文件：41.27 Kbytes Page：2 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT5551	文件：78.33 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT5551	文件：180.81 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT5551	文件：215.94 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5551	文件：114.43 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof200mWattsofPowerDissipation •Idealf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5551	文件：131.87 Kbytes Page：3 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT5551	文件：235.44 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMDT5551	文件：110.51 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT5551isahighvoltagefast-switchingdualNPNtransistor.Itischaracterizedwithhighbreakdownvoltage,highcurrentgainandhighswitchingspeed. FEATURES HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V Highcurrentgain	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT5551	文件：309.33 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5551	文件：283.06 Kbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MMDT5551	文件：171.27 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMDT5551	文件：1.44705 Mbytes Page：5 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES •EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating •ComplementarytoMMDT5401 •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
MMDT5551	文件：772.06 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarDieConstruction Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

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更多MMBT5551W供应商更新时间2024-9-24 10:50:00

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