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MMBT6517	文件：169.35 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors(NPN Silicon) High Voltage Transistors NPN Silicon 文件：169.35 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT6517	文件：43.38 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage Transistors Features ● NPN Silicon 文件：43.38 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MMBT6517LT1	文件：169.35 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors(NPN Silicon) High Voltage Transistors NPN Silicon 文件：169.35 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT6517LT1	文件：230.12 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistors NPN Silicon 文件：230.12 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT6517LT1	文件：99.57 Kbytes Page：8 Pages	丝印：1Z；Package：SOT-23；High Voltage Transistor(NPN Silicon) High Voltage Transistor NPN Silicon 文件：99.57 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6517LT1G	文件：162.54 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor NPN Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：162.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6517LT3G	文件：162.54 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor NPN Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：162.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6517LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Transistors(NPN Silicon)	恩XP	恩XP
MMBT6517LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6517LT3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MMBT6517
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
350
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

详细参数

型号：
MMBT6517
功能描述：
两极晶体管 - BJT 500mA 350V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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