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MMBT6517LT1中文资料High Voltage Transistors(NPN Silicon)数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MMBT6517LT1

参数属性

MMBT6517LT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3

功能描述

High Voltage Transistors(NPN Silicon)

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-29 10:35:00

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技术参数

  • 产品编号:

    MMBT6517LT1G

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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