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MMBT6517LT1中文资料High Voltage Transistors(NPN Silicon)数据手册恩XP规格书

厂商型号 |
MMBT6517LT1 |
参数属性 | MMBT6517LT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3 |
功能描述 | High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | 恩XP |
中文名称 | N智浦 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-29 10:35:00 |
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技术参数
- 产品编号:
MMBT6517LT1G
- 制造商:
ETC
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 50mA,10V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
LRC |
23+ |
SOT223 |
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24+ |
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SOT23 |
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