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MMBT6517LT1	文件：230.12 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT6517LT1	文件：169.35 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors(NPN Silicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT6517LT1	文件：99.57 Kbytes Page：8 Pages	Marking：1Z；Package：SOT-23；High Voltage Transistor(NPN Silicon) HighVoltageTransistor NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6517LT1G	文件：162.54 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistor NPNSilicon Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6517LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT6517LT1	文件：181.49 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT6517LT1G	文件：430.3 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT6517LT1G	文件：247.4 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistorsNPNSiliconRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MBT6517LT1	文件：76.52 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORHIGHVOLTAGETRANSISTOR	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

详细参数

型号：
MMBT6517LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 500mA 350V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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