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MMBTA56	文件：107.95 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBTA56	文件：245.32 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor PNPGeneralPurposeTransistor foramplifierapplications Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTA56	文件：202.88 Kbytes Page：3 Pages	SMD General Purpose Transistor (PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforSwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance	TAITRON TAITRON	TAITRON
MMBTA56	文件：58.15 Kbytes Page：4 Pages	Driver Transistors(PNP Silicon) DriverTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTA56	文件：43.9 Kbytes Page：2 Pages	Driver Transistors Features •SOT-23package	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBTA56	文件：143.78 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryNPNtypesavailable(MMBTA05/MMBTA06) APPLICATIONS •IdealformediumNPNamplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBTA56	文件：648.82 Kbytes Page：15 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications atcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess73.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBTA56	文件：47.34 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ●ComplementaryNPNType:MMBTA05/MMBTA06 ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101Standardsf	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBTA56	文件：110.06 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER) AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURE •ComplementarytoMMBTA06	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MMBTA56	文件：242.07 Kbytes Page：4 Pages	Driver PNP Transistors *TotalShuntCapacitanceofTestJigandConnectors ForPNPTestCircuits,ReverseAllVoltagePolarities	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MMBTA56	文件：116.11 Kbytes Page：5 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=-80V CollectorDissipation:PD=350mW	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBTA56	文件：140.6 Kbytes Page：1 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA55/MMBTA56) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBTA56	文件：118.42 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsat collectorcurrentto300mA •Markin:MMBTA55=2H/	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBTA56	文件：1.16973 Mbytes Page：5 Pages	NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR VOLTAGE60~80Volts POWER225mWatts FEATURES •NPNandPNPsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBTA56	文件：820.36 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features ComplementstheMMBTA06. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBTA56	文件：420.07 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistor PNPGeneralPurposeTransistor foramplifierapplications Onspecialrequest,thesetransistorscanto manufacturedindifferentpinconfigurations.	Surge SURGE COMPONENTS	Surge
MMBTA56	文件：809.72 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●GeneralPurposeAmplifierApplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBTA56	文件：73.89 Kbytes Page：1 Pages	-0.5A , -80V PNP Plastic Encapsulated Transistor *TotalShuntCapacitanceofTestJigandConnectors ForPNPTestCircuits,ReverseAllVoltagePolarities	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
MMBTA56	文件：145.31 Kbytes Page：2 Pages	SMD High Voltage NPN Transistors NPNSurfacemountgeneralpurposeSi-epitaxialplanartransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBTA56	文件：188.9 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryNPNtypesavailable	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH

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晶体管资料

型号：
MMBTA56
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
80
htest：
999900
atest：
.5
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
MMBTA56
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

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更多MMBTA56供应商更新时间2024-4-28 18:06:00

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