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MMBTA56	文件：648.82 Kbytes Page：15 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 73. 文件：648.82 Kbytes 页数：15 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBTA56	文件：58.15 Kbytes Page：4 Pages	Driver Transistors(PNP Silicon) Driver Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Package is Available 文件：58.15 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA56	文件：116.11 Kbytes Page：5 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO= -80V * Collector Dissipation: PD=350mW 文件：116.11 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBTA56	文件：110.06 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER) AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURE • Complementary to MMBTA06 文件：110.06 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
MMBTA56	文件：47.34 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Ideal for Low Power Amplification and Switching ● Complementary NPN Type: MMBTA05 / MMBTA06 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ● Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ● Qualified to AEC-Q101 Standards f 文件：47.34 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTA56	文件：107.95 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：107.95 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
MMBTA56	文件：145.31 Kbytes Page：2 Pages	SMD High Voltage NPN Transistors NPN Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：145.31 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
MMBTA56	文件：145.02 Kbytes Page：2 Pages	SMD General Purpose PNP Transistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：145.02 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
MMBTA56	文件：118.42 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector current to 300mA • Markin : MMBTA55=2H/ 文件：118.42 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
MMBTA56	文件：420.07 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistor PNP General Purpose Transistor for amplifier applications On special request, these transistors can to manufactured in different pin configurations. 文件：420.07 Kbytes 页数：3 Pages	Surge	Surge

晶体管资料

型号：
MMBTA56
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
80
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBTA56
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

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更多MMBTA56供应商更新时间2025-12-24 10:31:00

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