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MMBTA56	文件：1.65477 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2GM；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES General Purpose Amplifier Applications 文件：1.65477 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MMBTA56	文件：820.36 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Complements the MMBTA06. Applications General purpose amplifier. 文件：820.36 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
MMBTA56	文件：375.15 Kbytes Page：3 Pages	丝印：K2G；Package：SOT-23；SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Types Available (MMBTA06) • Ideal for Low Power Amplification and Switching 文件：375.15 Kbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
MMBTA56	文件：188.9 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • Epitaxial planar die construction. • Complementary NPN types available 文件：188.9 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
MMBTA56	文件：1.07817 Mbytes Page：15 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：1.07817 Mbytes 页数：15 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBTA56	文件：28.1 Kbytes Page：1 Pages	PNP (DRIVER TRANSISTOR) 文件：28.1 Kbytes 页数：1 Pages	Samsung 三星	Samsung
MMBTA56	文件：77.42 Kbytes Page：7 Pages	PNP Silicon AF Transistor Low collector-emitter saturation voltage 文件：77.42 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
MMBTA56	文件：532.48 Kbytes Page：7 Pages	丝印：s2G；Package：SOT23；PNP Silicon AF Transistor 文件：532.48 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
MMBTA56	文件：227.8 Kbytes Page：5 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR 文件：227.8 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBTA56	文件：36.47 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR 文件：36.47 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC

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晶体管资料

型号：
MMBTA56
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
80
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBTA56
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

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