| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
MMBTA55 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ●ComplementaryNPNType:MMBTA05/MMBTA06 ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101Standardsf | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 | DIODES | |
MMBTA55 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER) AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES •ComplementarytoMMBTA05. •DriverStageApplicationof20to25WattsAmplifiers. | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | KEC | |
MMBTA55 | Driver PNP Transistors *TotalShuntCapacitanceofTestJigandConnectors ForPNPTestCircuits,ReverseAllVoltagePolarities | WEITRONWEITRON 威堂電子科技 | WEITRON | |
MMBTA55 | General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled | DiotecDIOTEC 德欧泰克 | Diotec | |
MMBTA55 | PNP General Purpose Transistor FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryNPNtypesavailable(MMBTA05/MMBTA06) APPLICATIONS •IdealformediumNPNamplificationandswitching. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | BILIN | |
MMBTA55 | SMD General Purpose Transistor (PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforSwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance | TAITRON TAITRON | TAITRON | |
MMBTA55 | PNP General Purpose Amplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsat collectorcurrentto300mA •Markin:MMBTA55=2H/ | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司 | MCC | |
MMBTA55 | Driver Transistor *TotalShuntCapacitanceofTestJigandConnectors ForPNPTestCircuits,ReverseAllVoltagePolarities | SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | SECOS | |
MMBTA55 | NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR VOLTAGE60~80Volts POWER225mWatts FEATURES •NPNandPNPsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 | PANJIT | |
MMBTA55 | TRANSISTOR(PNP) FEATURES •DriverTransistors | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | HTSEMI | |
MMBTA55 | Driver Transistors(PNP Silicon) DriverTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
MMBTA55 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA55/MMBTA56) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
MMBTA55 | Driver Transistors Features •SOT-23package | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | |
MMBTA55 | PNP MMBTA55 AMPLIFIERTRANSISTOR FEATURES *Collector-EmitterVoltage:VCEO=60V | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | |
MMBTA55 | Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 | FOSHAN | |
MMBTA55 | PNP General Purpose Transistor | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | BILIN | |
MMBTA55 | PNP Plastic-Encapsulate Transistors | JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. | JINGHENG | |
MMBTA55 | PNP General Purpose Transistor | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司 | LUGUANG | |
MMBTA55 | PNP General Purpose Amplifier | RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司 | RECTRON | |
MMBTA55 | PNP General Purpose Amplifier | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司 | MCC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_通用 （G）
- 封装形式：
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
- 可代换的型号：
3DK30C,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍数：
- 图片代号：
NO
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
.5
- wtest：
.3
产品属性
- 产品编号：
MMBTA55
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
- 频率 - 跃迁：
50MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
SOT23 |
19659 |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
询价 | |||
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14+无铅 |
SOT-23 |
25700 |
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20+ |
SOT-23 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
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SOT-23 |
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PANJIT/强茂 |
SOT23 |
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CJ/长晶 |
24+ |
SOT-23 |
30000 |
长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价 |
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2023+ |
SOT-23 |
64706 |
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2008++ |
SOT-23 |
57200 |
新进库存/原装 |
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2017+ |
SOT-23SC- |
56787 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 |
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