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MMBTA55	文件：58.15 Kbytes Page：4 Pages	Driver Transistors(PNP Silicon) Driver Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Package is Available 文件：58.15 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA55	文件：144.75 Kbytes Page：3 Pages	PNP MMBTA55 AMPLIFIER TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=60V 文件：144.75 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBTA55	文件：114.87 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER) AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES • Complementary to MMBTA05. • Driver Stage Application of 20 to 25 Watts Amplifiers. 文件：114.87 Kbytes 页数：1 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
MMBTA55	文件：47.34 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Ideal for Low Power Amplification and Switching ● Complementary NPN Type: MMBTA05 / MMBTA06 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ● Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ● Qualified to AEC-Q101 Standards f 文件：47.34 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTA55	文件：107.95 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：107.95 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
MMBTA55	文件：118.42 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector current to 300mA • Markin : MMBTA55=2H/ 文件：118.42 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
MMBTA55	文件：242.07 Kbytes Page：4 Pages	Driver PNP Transistors * Total Shunt Capacitance of Test Jig and Connectors For PNP Test Circuits, Reverse All Voltage Polarities 文件：242.07 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
MMBTA55	文件：143.78 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2H；Package：SOT-23；PNP General Purpose Transistor FEATURES • Epitaxial planar die construction. • Complementary NPN types available (MMBTA05/MMBTA06) APPLICATIONS • Ideal for medium NPN amplification and switching. 文件：143.78 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMBTA55	文件：773.58 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES • Driver Transistors 文件：773.58 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
MMBTA55	文件：43.9 Kbytes Page：2 Pages	Driver Transistors Features • SOT-23 package 文件：43.9 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
MMBTA55
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DK30C,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBTA55
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3

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更多MMBTA55供应商更新时间2026-4-10 20:05:00

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