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MMBTA55-7	文件：47.34 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Ideal for Low Power Amplification and Switching ● Complementary NPN Type: MMBTA05 / MMBTA06 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ● Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ● Qualified to AEC-Q101 Standards f 文件：47.34 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTA55-A56	文件：201.68 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistor Features • Epitaxial planar die construction. • Complementary NPN type available(MMBTA05/MMBTA06). • Low collector-emitter saturation voltage. • RoHS compliant package Application • Ideal for medium NPN amplification and switching. 文件：201.68 Kbytes 页数：3 Pages	BWTECH	BWTECH
MMBTA55-AU	文件：250.73 Kbytes Page：7 Pages	NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR VOLTAGE 60~80 Volts POWER 225 mWatts FEATURES • NPN and PNP silicon, planar design • Collector current IC= 500mA • Acqire quality system certificate : TS16949 • AEC-Q101 qualified • Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives. 文件：250.73 Kbytes 页数：7 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MMBTA55G-AE3-R	文件：144.75 Kbytes Page：3 Pages	PNP MMBTA55 AMPLIFIER TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=60V 文件：144.75 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBTA55G-AL3-R	文件：144.75 Kbytes Page：3 Pages	PNP MMBTA55 AMPLIFIER TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=60V 文件：144.75 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBTA55L	文件：154.58 Kbytes Page：5 Pages	Driver Transistors Driver Transistors PNP Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：154.58 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA55L	文件：177.29 Kbytes Page：7 Pages	Driver Transistors Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：177.29 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA55L_V01	文件：177.29 Kbytes Page：7 Pages	Driver Transistors Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：177.29 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA55L-AE3-R	文件：144.75 Kbytes Page：3 Pages	PNP MMBTA55 AMPLIFIER TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=60V 文件：144.75 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBTA55L-AL3-R	文件：144.75 Kbytes Page：3 Pages	PNP MMBTA55 AMPLIFIER TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=60V 文件：144.75 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

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晶体管资料

型号：
MMBTA55
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DK30C,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBTA55
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBTA55供应商更新时间2026-4-10 20:05:00

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