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MMBTA13-7-F	文件：112.84 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBTA13-7-F	文件：120.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBTA13-7-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
DFLZ13-7	文件：188.67 Kbytes Page：3 Pages	1.0WSURFACEMOUNTPOWERZENERDIODE Features •1WPowerDissipationonFR-4PCB •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
KTY13-7	文件：25.98 Kbytes Page：2 Pages	SiliconSpreadingResistanceTemperatureSensorinSurfaceMountTechnology Features •TemperaturedependentResistorwithPositiveTemperatureCoefficient •SMDplasticpackageforverysmallthermaltimeconstants •Fastresponse •Highreliabilityduetomultilayergoldcontacts •n-conductingsiliconcrystal •Polarityindependentduetosymmetricalconstruction	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
KTY13-7	文件：182.57 Kbytes Page：11 Pages	SiliconTemperatureSensors Features •Temperaturedependentresistorwithpositivetemperaturecoefficient •Temperaturerange–50°Cto+150°C(–60Fto300F) •AvailableinSMDorleadedorcustomizedpackages •Linearoutput •Excellentlongtermstability •Polarityindependentduetosymmetricalc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
MMBTA13-7	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	NPNSURFACEMOUNTDARLINGTONTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypesAvailable(MMBTA63/MMBTA64) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes3and4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMSTA13-7-F	文件：88.96 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTDARLINGTONTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMSTA13-7-F	文件：117.91 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTDARLINGTONTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable (MMSTA63/MMSTA64) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
TZA13-7	文件：35.39 Kbytes Page：1 Pages	TZA/TYASeries5-TapHighPerformancePassiveDelayModules	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

产品属性

产品编号：
MMBTA13-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBTA13-7-F	Diodes Incorporated	23+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBTA13-7-F	DIODES(美台)	23+	SOT-23	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	MMBTA13-7-F	DIODES/美台		SMD	7906200		询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	MMBTA13-7-F		23+	N/A	36000	正品授权货源可靠	询价

更多MMBTA13-7-F供应商更新时间2024-4-29 11:18:00

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