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MMBTH10LT1G	文件：128.86 Kbytes Page：5 Pages	VHF/UHF Transistor VHF/UHFTransistor NPNSilicon Features •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBTH10LT1G	文件：52.24 Kbytes Page：6 Pages	VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTH10LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBTH10LT1G	文件：97.09 Kbytes Page：5 Pages	VHF/UHFTransistor VHF/UHFTransistor NPNSilicon Features •SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBTH10LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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