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MMBTH24	文件：31.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN (VHF MIXER TRANSISTOR) VHFMIXERTRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MMBTH24	文件：36.91 Kbytes Page：2 Pages	NPN RF Transistor NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforcommon-emitterlownoise amplifierandmixerapplicationswithcollectorcurrents inthe100mAto20mArangeto300MHz,andlow frequencydriftcommon-baseVHFoscillator applicationswithhighoutputlevelsfordrivingF	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBTH24	文件：47.57 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR Features •DesignedforVHF/UHFAmplifierApplicationsandHigh OutputVHFOscillators •HighCurrentGainBandwidthProduct •IdealforMixerandRFAmplifierApplicationswith collectorcurrentsinthe100μA-30mARange •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBTH24	文件：52.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBTH24	文件：563.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBTH24	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTH24-7	文件：47.57 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR Features •DesignedforVHF/UHFAmplifierApplicationsandHigh OutputVHFOscillators •HighCurrentGainBandwidthProduct •IdealforMixerandRFAmplifierApplicationswith collectorcurrentsinthe100μA-30mARange •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBTH24LT1	文件：51.51 Kbytes Page：2 Pages	VHF Mixer Transistors(NPN Silicon) VHFMixerTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBTH24_1	文件：310.6 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBTH24_15	文件：563.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
MMBTH24
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
频率 - 跃迁：
400MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 8mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

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