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MMBTH24	文件：36.91 Kbytes Page：2 Pages	NPN RF Transistor NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for common-emitter low noise amplifier and mixer applications with collector currents in the 100mA to 20mA range to 300MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels for driving F 文件：36.91 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MMBTH24	文件：31.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN (VHF MIXER TRANSISTOR) VHF MIXER TRANSISTOR 文件：31.09 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MMBTH24	文件：47.57 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR Features • Designed for VHF/UHF Amplifier Applications and High Output VHF Oscillators • High Current Gain Bandwidth Product • Ideal for Mixer and RF Amplifier Applications with collector currents in the 100μA - 30 mA Range • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green De 文件：47.57 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTH24	文件：563.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR 文件：563.01 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTH24	文件：52.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier 文件：52.64 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MMBTH24-7	文件：47.57 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR Features • Designed for VHF/UHF Amplifier Applications and High Output VHF Oscillators • High Current Gain Bandwidth Product • Ideal for Mixer and RF Amplifier Applications with collector currents in the 100μA - 30 mA Range • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green De 文件：47.57 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTH24LT1	文件：51.51 Kbytes Page：2 Pages	VHF Mixer Transistors(NPN Silicon) VHF Mixer Transistors NPN Silicon 文件：51.51 Kbytes 页数：2 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBTH24_1	文件：310.6 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR 文件：310.6 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTH24_15	文件：563.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR 文件：563.01 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTH24_2	文件：563.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR 文件：563.01 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

晶体管资料

型号：
MMBTH24
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBTH24
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
频率 - 跃迁：
400MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 8mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

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更多MMBTH24供应商更新时间2026-1-17 15:40:00

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