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MMBTH24-7-F

NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR

文件:563.01 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBTH24-7-F

NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR

文件:310.6 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBTH24

NPN RF晶体管

MMBTH24 NPN RF晶体管\n 该器件适合集电极电流为100 mA至20 mA的300 MHz共发射极低噪声放大器和混频器应用,以及具有驱动FET混频器的高输出电平的低频率漂移共基极VHF振荡器应用。\n 采用工艺47设计。\n 如需相关特性,请参见MPSH11。;

ONSEMI

安森美半导体

MMBTH24

NPN, 40V, 0.05A, SOT23

Diodes

美台半导体

MMBTH24

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

MMBTH24LT1

VHF Mixer Transistors(NPN Silicon)

LRC

乐山无线电

MMBTH24-7-F

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3

PAM

龙鼎微

产品属性

  • 产品编号:

    MMBTH24

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    30V

  • 频率 - 跃迁:

    400MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 8mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-23
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更多MMBTH24供应商 更新时间2025-10-13 13:34:00