MMBTH24中文资料NPN RF晶体管数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MMBTH24 |
| 参数属性 | MMBTH24 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN RF晶体管 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 12:00:00 |
| 人工找货 | MMBTH24价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBTH24规格书详情
描述 Description
MMBTH24
特性 Features
NPN RF晶体管
该器件适合集电极电流为100 mA至20 mA的300 MHz共发射极低噪声放大器和混频器应用，以及具有驱动FET混频器的高输出电平的低频率漂移共基极VHF振荡器应用。
采用工艺47设计。
如需相关特性，请参见MPSH11。
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
MMBTH24属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的MMBTH24晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBTH24
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： NPN RF Transistor
- Polarity
：NPN
- IC Continuous (A)
：50
- VCEO(sus) Min (V)
：
- hFE Min
：30
- hFE Max
：
- PTM Max (W)
：
- fT Min (MHz)
：400
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
2511 |
SOT23 |
360000 |
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询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
27000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-23 |
30000 |
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DIODES |
20+ |
SOT23 |
32970 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT23 |
13000 |
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询价 | ||
ON |
19+ |
SOT23 |
448 |
原装 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT23 |
6000 |
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24+ |
N/A |
61000 |
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ON/安森美 |
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SOT23 |
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ST/ON |
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SOT-23 |
24190 |
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