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MMBTH24数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MMBTH24

参数属性

MMBTH24 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

功能描述

NPN RF晶体管
RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 13:18:00

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MMBTH24规格书详情

描述 Description

MMBTH24

特性 Features

NPN RF晶体管
该器件适合集电极电流为100 mA至20 mA的300 MHz共发射极低噪声放大器和混频器应用,以及具有驱动FET混频器的高输出电平的低频率漂移共基极VHF振荡器应用。
采用工艺47设计。
如需相关特性,请参见MPSH11。

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

MMBTH24属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的MMBTH24晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBTH24

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN RF Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :50

  • VCEO(sus) Min (V)

    : 

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    : 

  • PTM Max (W)

    : 

  • fT Min (MHz)

    :400

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON/FAIRCHILD
23+
SOT-23
63000
原装正品现货
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360000
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02+
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SOT23
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