MMBTH10M3数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBTH10M3 |
| 参数属性 | MMBTH10M3 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 |
| 功能描述 | NPN Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-11 13:01:00 |
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MMBTH10M3规格书详情
描述 Description
The NPN Bipolar Transistor is a spin-off of our popular SOT-23 three-leaded device. It is designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the SOT-723 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.
简介
MMBTH10M3属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的MMBTH10M3晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBTH10M3
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.5
- IC Cont. (A)
：-
- VCEO Min (V)
：25
- VCBO (V)
：30
- VEBO (V)
：3
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：0.95
- hFE Min
：60
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：650
- PTM Max (W)
：0.64
- Package Type
：SOT-723-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
11940 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
22+ |
SOT23 |
90000 |
正规代理渠道假一赔十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2511 |
SOT23 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT23-3 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2020 |
SOT-23 |
360000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
8000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT723 |
7350 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
FSC |
24+ |
SOT23 |
96000 |
原装公司大量现货,欢迎来电 |
询价 |
