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MMBTH10数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MMBTH10

参数属性

MMBTH10 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

晶体管

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

HXY MOSFET Shenzhen Huaxuanyang Electronics Co., Ltd.

中文名称

华轩阳电子 深圳市华轩阳电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 11:50:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MMBTH10

  • 生产厂家

    :HXY MOSFET

  • IC/A

    :0.05

  • VCEO/V

    :25

  • hFE

    :100-200

  • fT

    :650

  • VCBO/V

    :30

  • VCE(sat)/V

    :0.5

  • TYP

    :NPN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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