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MMBTH10	文件：71.5 Kbytes Page：6 Pages	NPN RF Transistor NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 µA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42. 文件：71.5 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MMBTH10	文件：196.21 Kbytes Page：5 Pages	RF TRANSISTOR RF TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMBTH10 is designed for using as VHF and UHF oscillators and VHF Mixer in a tuner of a TV receiver. 文件：196.21 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBTH10	文件：55.42 Kbytes Page：2 Pages	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR Features • Designed for VHF/UHF Amplifier Applications and High Output VHF Oscillators • High Current Gain Bandwidth Product • Ideal for Mixer and RF Amplifier Applications with collector currents in the 100μA - 30 mA Range • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 文件：55.42 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBTH10	文件：179.98 Kbytes Page：2 Pages	NPN VHF/UHF Transistors Features ● Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ● Designed for VHF/UHF Amplifier applications and high output VHF Oscillators ● High current gain bandwidth product ● Marking Code: 3EM ● Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating ● Mois 文件：179.98 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
MMBTH10	文件：224.72 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon VHF/UHF Transistor NPN Silicon VHF/UHF Transistor p/b Lead(Pb)-Free 文件：224.72 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
MMBTH10	文件：194.02 Kbytes Page：3 Pages	丝印：3EM；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High transition frequency. ● Power dissipation.(PC=350mW). APPLICATIONS ● VHF/UHF Transistor. 文件：194.02 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMBTH10	文件：294.02 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 NPN Silicon VHF/UHF Transistor 文件：294.02 Kbytes 页数：3 Pages	GSME 桂微	GSME
MMBTH10	文件：302.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ● VHF/UHF Transistor 文件：302.56 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
MMBTH10	文件：1.02093 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● VHF/UHF Transistor 文件：1.02093 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MMBTH10	文件：1.17423 Mbytes Page：3 Pages	丝印：3EM；Package：SOT-23；NPN Transistors ■ Features ● Collector Current Capability IC=0.05A ● Collector Emitter Voltage VCEO=25V 文件：1.17423 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
MMBTH10
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_本级振荡（Osc）
封装形式：
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.3
wtest：
0

产品属性

产品编号：
MMBTH10
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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