MMBTH10分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

厂商型号	MMBTH10
参数属性	MMBTH10 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
功能描述	NPN RF Transistor
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	71.5 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	FAIRCHILD
中文名称	仙童半导体
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更新时间	2026-1-22 0:18:00
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MMBTH10规格书详情

NPN RF Transistor

This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 µA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.

产品属性

产品编号：
MMBTH10
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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