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MMBTH10分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号	MMBTH10
参数属性	MMBTH10 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
功能描述	Silicon Epitaxial Planar Transistor
丝印标识	3EM
封装外壳	SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	194.02 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	BILIN
中文名称	银河微电
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-1 9:50:00
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MMBTH10规格书详情

FEATURES

● High transition frequency.

● Power dissipation.(PC=350mW).

APPLICATIONS

● VHF/UHF Transistor.

产品属性

产品编号：
MMBTH10
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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